ST2317S23RG P40V 37mΩ 5安培 STANSON原厂

ST2317S23RG是P通道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高密度DMOS沟槽技术生产。这么高的密度该过程是特别定制的，以尽量减少对状态的阻力。这些设备是特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑计算机电源管理和其他电池供电电路在一个很小的轮廓面上需要开关和低的在线功率损耗安装程序包特征- 40V / -5.0a，RDS（ON）= 37mΩ（典型值@ VGS = - 10V-40V / -3.0a RDS（ON）=51mΩ@ VGS = 4.5v**高密度电池设计较低的RDS（on）特殊的阻力和值直流电流的能力SOT-23封装设计

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