描述
ST2341SRG是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。
采用高密度DMOS沟槽技术生产。
特别适合于较小化导通状态电阻。
低压应用,例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理,
其他电池供电电路和低在线功率损耗是必需的。产品在
一个非常小的外形表面贴装封装。
特征
-20V/-3.2A,RDS(ON)=45米Ω(Typ)。
@ VGS=-4.5V
-20V/-2.0A,RDS(ON)=53MΩ
@ VGS=-2.5V
**高密度电池设计
较低RDS(on)
**常的导通电阻和较大值
直流电流能力
SOT-23封装设计