STC6301D

STC6301D是采用高电池密度的N+P双沟道增强模式电场效应晶体管

mos战壕技术。这种高密度的过程特别适合将状态阻力降到低

并提供优越的切换性能。这种装置特别适用于低压应用

如电源管理，其中高侧开关、低在线功率损耗和暂态电阻是被需要的。

特征

N沟道

60v/8.00a,rd(上)

=37mr

@vgs=10v

60v/5.0a,rd

=28mω

@vgs=4.5v

P-沟道

-60v/-5.0a,RDS

=46mω

@vgs=-10v

-60v/-3.0a,rds(on)=65mω

@vgs=-4.5v

**高密度电池设计

较低的rd

异常阻力和大阻力

直流电流能力

封装252-4L