细说MOS管（二）

从上文《细说MOS管（一）》的内容，大家已经初步了解什么是MOS管，还有就是MOS的基本构造，今天小编继续带领大家深入了解MOS管的构造原理以及应用领域，j今天我们来继续深入了借MOS管，基于《细说MOS管一》的基础上，首先我们可以看看MOS管的构造图：



结合上图和之前的知识点，我们将MOS管的知识划分成九个问题分类点来进行深入了解（如果还没看过细说MOS管一的话，先可以点击链接入口《细说MOS管一》）：

**个MOS管问题分类：如何进行MOS管p/n型的划分？

从MOS管结构示意图我们可以看出，p型中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块P型较连在一起，mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求，同理，n型MOS也可以将上图理解成为n型即可；

*二个MOS管问题分类：如何区分MOS管的源较和漏较？

MOS管结构示意图中，我们可以看出左右是对称的，难免会有人问怎么区分源较和漏较呢？其实原理上，源较和漏较确实是对称的，是不区分的。但在实际应用中，厂家一般在源较和漏较之间连接一个二极管，起保护作用，正是这个二极管决定了源较和漏较，这样，封装也就固定了，便于实用；

*三个MOS管问题分类：什么是增强型MOS管？

增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，由上图可以看出，栅较电压越低，则p型源、漏较的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越远离栅较，栅较电压达到一个值，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离子连在一起，形成通道，就是图示效果。因此，容易理解，栅较电压必须低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越小。由于电场的强度与距离平方成正比，因此，电场强到一定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不明显了，也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅较来加厚或者减薄来控制源漏的导通。但这种管子一般不生产，在市面基本见不到。所以，大家平时说mos管，就默认是增强型的。

*四个MOS管问题分类：mos管中的金属氧化物膜是什么东西？

mos管结构示意图中标出的金属氧化物膜位于上边部位，这个膜是绝缘的，用来电气隔离，使得栅较只能形成电场，不能通过直流电，因此是用电压控制的。在直流电气上，栅较和源漏较是断路。不难理解，这个膜越薄：电场作用越好、坎压越小、相同栅较电压时导通能力越强。坏处是：越容易击穿、工艺制作难度越大而价格越贵。例如导通电阻在欧姆级的，1角人民币左右买一个，而2402等在十毫欧级的，要2元多（批量买。零售是4元左右）。

*五个MOS管问题分类：MOS管的寄生电容是什么？

MOS管结构示意图中的栅较通过金属氧化物与衬底形成一个电容，越是高品质的mos，膜越薄，寄生电容越大，经常mos管的寄生电容达到nF级。这个参数是mos管选择时至关重要的参数之一，必须考虑清楚。Mos管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率，在这种用途中，栅较信号具有交流特征，频率越高，交流成分越大，寄生电容就能通过交流电流的形式通过电流，形成栅较电流。消耗的电能、产生的热量不可忽视，甚至成为主要问题。为了追求高速，需要强大的栅较驱动，也是这个道理。试想，弱驱动信号瞬间变为高电平，但是为了“灌满”寄生电容需要时间，就会产生上升沿变缓，对开关频率形成重大威胁直至不能工作。


*六个MOS管问题分类：MOS管如何工作在放大区？

Mos管也能工作在放大区，而且很常见。做镜像电流源、运放、反馈控制等，都是利用mos管工作在放大区，由于mos管的特性，当沟道处于似通非通时，栅较电压直接影响沟道的导电能力，呈现一定的线性关系。由于栅较与源漏隔离，因此其输入阻抗可视为无穷大，当然，随频率增加阻抗就越来越小，一定频率时，就变得不可忽视。这个高阻抗特点被广泛用于运放，运放分析的虚连、虚断两个重要原则就是基于这个特点。这是三极管不可比拟的。


*七个MOS管问题分类：MOS管发热原因是什么？

Mos管发热，主要原因之一是寄生电容在频繁开启关闭时，显现交流特性而具有阻抗，形成电流。有电流就有发热，并非电场型的就没有电流。另一个原因是当栅较电压爬升缓慢时，导通状态要“路过”一个由关闭到导通的临界点，这时，导通电阻很大，发热比较厉害。*三个原因是导通后，沟道有电阻，过主电流，形成发热。主要考虑的发热是*1和*3点。许多mos管具有结温过高保护，所谓结温就是金属氧化膜下面的沟道区域温度，一般是150摄氏度。**过此温度，mos管不可能导通。温度下降就恢复。要注意这种保护状态的后果。

*八个MOS管问题分类：MOS管理论图与实物有什么区别？

MOS管结构示意图仅仅是原理性的，实际的元件增加了源-漏之间跨接的保护二极管，从而区分了源较和漏较。实际的元件，p型的，衬底是接正电源的，使得栅较预先成为相对负电压，因此p型的管子，栅较不用加负电压了，接地就能保证导通。相当于预先形成了不能导通的沟道，严格讲应该是耗尽型了。好处是明显的，应用时抛开了负电压。

*九个MOS管问题分类：MOS管的应用包含哪些？

1：p型mos管应用

一般用于管理电源的通断，属于无触点开关，栅较低电平就完全导通，高电平就完全截止。而且，栅较可以加高过电源的电压，意味着可以用5v信号管理3v电源的开关，这个原理也用于电平转换。

2：n型mos管应用

一般用于管理某电路是否接地，属于无触点开关，栅较高电平就导通导致接地，低电平截止。当然栅较也可以用负电压截止，但这个好处没什么意义。其高电平可以高过被控制部分的电源，因为栅较是隔离的。因此可以用5v信号控制3v系统的某处是否接地，这个原理也用于电平转换。

3：MOS管放大区应用

工作于放大区，一般用来设计反馈电路，需要的专业知识比较多，类似运放，这里无法细说。常用做镜像电流源、电流反馈、电压反馈等。至于运放的集成应用，我们其实不用关注。人家都做好了，看好datasheet就可以了，不用按mos管方式去考虑导通电阻和寄生电容。

*十个MOS管问题分类：：MOS管基本应用在哪些产品？

现在的高清、液晶、等离子电视机中开关电源部分除了采用了PFC技术外，在元器件上的开关管均采用性能优异的MOS管取代过去的大功率晶体三极管，使整机的效率、可靠性、故障率均大幅的下降。由于MOS管和大功率晶体三极管在结构、特性有着本质上的区别，在应用上；驱动电路也比晶体三极管复杂，致使维修人员对电路、故障的分析倍感困难，此文即针对这一问题，把MOS管及其应用电路作简单介绍，以满足维修人员需求。

通过上述十个于MOS管的知识解答，相信大家对MOS管已经有一定的认知，更多MOS管详情，请关注司坦森MOS百科，上文部分内容采用网络整理，如有侵权行为，请及时联系管理员删除；