STP4441替代AO4421、AO4441、Si9407BDY、SM6105PSK、SM6106PSK、SM6107PSK
产品描述:
STP4441是P沟道增强型功率场效应晶体管逻辑的
采用高密度,DMOS器件沟道技术。这种高密度
过程是特别定制,以尽量减少对国家的阻力。这些器件
特别适合于低电压应用,noteook电源管理和缓解
电池供电的电路中的高侧开关。
特征:
-60V/-10.0A, RDS(ON) = 55mΩ (Typ.)
@VGS =-10V
-60V/-5.0A, RDS(ON) = 73mΩ
@VGS = -4.5V
**高密度电池设计
较低的RDS(on)
l特殊的阻力和大值
直流电流的能力
SOP-8封装设计