STC6614替代Si4559ADY、SM6041SCK
产品描述
STC6614是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管DMOS器件沟道技术。
这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力,并提供优越的开关性能.
该装置特别适合于低电压应用
如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,在高侧开关,
低的在线功率损耗和电阻瞬态是必要的。
参数
N沟道
60V /10A,RDS(ON)= 35mΩ(典型值)
@ VGS = 10V
60V / 4.0A,RDS(ON)= 40mΩ
@ VGS = 4.5V
P沟道
- 60V / -5.0a,RDS(上)= 60mΩ(典型值)
@ VGS = - 10V
- 60V / -3.0a,RDS(上)= 80mΩ
@ VGS = 4.5v
**高密度电池设计
较低的RDS(on)
特殊的阻力和较大
直流电流的能力
SOP-8封装
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单位注册资金单位注册资金人民币 100 万元以下。
本公司主营:STP6621,STN4438等产品,是一家优秀的电子产品公司,拥有优秀的高中层管理队伍,他们在技术开发、市场营销、金融财务分析等方面拥有丰富的管理经验,选择我们,值得你信赖!