描述
st1005srg是P沟道增强型功率场效应晶体管逻辑
它是利用高密度,DMOS器件沟道技术。这种高密度
过程是特别定制,以尽量减少对国家的阻力。这些器件
特别适合于低电压应用,如手机和笔记本电脑
计算机电源管理,其他电池供电的电路,和低的在线电源
损失是必需的。该产品是在一个非常小的轮廓表面贴装封装。
特征
l 100V / -0.8.0a,RDS(ON)= 650m-ohm(典型值
@ VGS = - 10V
L / -0.4a 60V,RDS(ON)= 700m-ohm
@ VGS = 4.5v
**高密度电池设计
较低的RDS(on)
l特殊的阻力和较大值
直流电流的能力
SOT-23封装设计